TPD3215M

TPD3215M

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

数据表

属性

产品分类 FET、MOSFET 阵列
制造商 Transphorm
描述 GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
封装 -
包装 散装
ROHS状态 No
价格 USD
数据表

定价

数量 单价

规格

类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹散装
产品状态OBSOLETE
包装/箱Module
安装类型Through Hole
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
功率 - 最大470W
漏源电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C70A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2260pF @ 100V
Rds On(最大)@Id、Vgs34mOhm @ 30A, 8V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs28nC @ 8V
供应商设备包Module

运输

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

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