TP65H070G4QS-TR

TP65H070G4QS-TR

650 V 29 A GAN FET

数据表

属性

产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Transphorm
描述 650 V 29 A GAN FET
封装 -
包装 卷带式 (TR)
ROHS状态 Yes
价格 USD $8.6100
数据表

定价

数量 单价
1 $8.6100
10 $7.3800
100 $6.1500
500 $5.4200
1000 $4.8800
2000 $4.5700

规格

类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TOLL
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V

运输

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

单价
价格
  • 库存: 0

定价

数量 单价
1 $8.6100
10 $7.3800
100 $6.1500
500 $5.4200
1000 $4.8800
2000 $4.5700