FBG20N18BSH

FBG20N18BSH

GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B

数据表

属性

产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 EPC Space
描述 GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
封装 -
包装 散装
ROHS状态 No
价格 USD $392.7500
数据表

定价

数量 单价
1 $392.7500
10 $377.9900

规格

类型描述
制造商EPC Space
系列e-GaN®
包裹散装
产品状态ACTIVE
包装/箱4-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C18A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 3mA
供应商设备包4-SMD
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs7 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds900 pF @ 100 V

运输

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

单价
价格
  • 库存: 51

定价

数量 单价
1 $392.7500
10 $377.9900