CGD65B200S2-T13

CGD65B200S2-T13

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

数据表

属性

产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Cambridge GaN Devices
描述 650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
封装 -
包装 卷带式 (TR)
ROHS状态 Yes
价格 USD $4.5500
数据表

定价

数量 单价
1 $4.5500
10 $3.8200
100 $3.0900
500 $2.7500
1000 $2.3500
2000 $2.2100
5000 $2.1300

规格

类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs280mOhm @ 600mA, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 2.75mA
供应商设备包8-DFN (5x6)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)9V, 20V
Vgs(最大)+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs1.4 nC @ 12 V

运输

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

单价 $ 2.13
价格 $ 10650
  • 库存: 4355

定价

数量 单价
1 $4.5500
10 $3.8200
100 $3.0900
500 $2.7500
1000 $2.3500
2000 $2.2100
5000 $2.1300