规格
类型 | 描述 |
制造商 | Cambridge GaN Devices |
系列 | ICeGaN™ |
包裹 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 16-PowerVDFN |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V |
场效应管特性 | Current Sensing |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4.2V @ 4.2mA |
供应商设备包 | 16-DFN (8x8) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 12V |
Vgs(最大) | +20V, -1V |
漏源电压 (Vdss) | 650 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 2.3 nC @ 12 V |
运输
运输费
运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。
邮寄方式
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货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:
联邦快递国际,5-7 个工作日。
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