CGD65A130S2-T13

CGD65A130S2-T13

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

数据表

  • -

属性

产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Cambridge GaN Devices
描述 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
封装 -
包装 卷带式 (TR)
ROHS状态 Yes
价格 USD $3.3200
数据表 -

定价

数量 单价
1 $6.2500
10 $5.3600
100 $4.4600
500 $3.9400
1000 $3.5500
3500 $3.3200

规格

类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱16-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs182mOhm @ 900mA, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 4.2mA
供应商设备包16-DFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)12V
Vgs(最大)+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.3 nC @ 12 V

运输

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

单价
价格
  • 库存: 3352

定价

数量 单价
1 $6.2500
10 $5.3600
100 $4.4600
500 $3.9400
1000 $3.5500
3500 $3.3200