AS1M025120P

AS1M025120P

N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER

数据表

属性

产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Anbon Semiconductor
描述 N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
封装 -
包装 管子
ROHS状态 Yes
价格 USD $38.0300
数据表

定价

数量 单价
1 $38.0300
10 $33.8000
100 $29.5600

规格

类型描述
制造商Anbon Semiconductor
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C90A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs34mOhm @ 50A, 20V
功耗(最大)463W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 15mA
供应商设备包TO-247-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)20V
Vgs(最大)+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs195 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds3600 pF @ 1000 V

运输

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

单价
价格
  • 库存: 124

定价

数量 单价
1 $38.0300
10 $33.8000
100 $29.5600